光刻工艺，光刻工艺的原理是什么？

本文目录

1. 光刻工艺的原理是什么？
2. 华为芯片9000s没采用光刻工艺吗？
3. 提高光刻工艺系数K的几种方法？
4. az1500光刻胶工艺参数？
5. 多次光刻与一次光刻的区别？

光刻工艺的原理是什么？

光刻技术的原理

集成电路制造中利用光- 化反应原理和化、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。

　　光刻技术是在一片整的硅片上构建半导MOS管和电路的基础，这其中包含有很多步骤与流程。首先要在硅片上涂上一层耐腐蚀的光刻胶，随后让强光通过一块刻有电路图案的镂空掩模板（MASK）照射在硅片上。被照射到的部分(如源区和漏区)光刻胶会发生变质，而构筑栅区的地方不会被照射到，所以光刻胶会仍旧粘连在上面。接下来就是用腐蚀性液清洗硅片，变质的光刻胶被，露出下面的硅片，而栅区在光刻胶的保护下不会受到影响。随后就是粒子沉积、掩膜、刻线等作，直到最后形成成品晶片（WAFER）。

华为芯片9000s没采用光刻工艺吗？

没有

据国外媒报道，这款芯片并没有采用 EUV（极紫外）光刻工艺，而是使用了 DUV（深紫外）光刻工艺，工艺范围在14纳米到5纳米之间。在工艺方面，麒麟9000 S采用了 DUV光刻技术代替 EUV光刻技术。

提高光刻工艺系数K的几种方法？

在光刻工艺中，系数K是用来描述焦深曲线（Focus Depth Curve）的形状和陡峭程度的一个重要参数，它与光刻工艺的分辨率和曝光等参数有关。如果K值较高，即曝光变化时焦深曲线的变化较为缓时，则可以提高工艺的容错度和稳定性，使得曝光量对图形的影响较小，进而提高工艺的稳定性和重复性。下面列举几种提高光刻工艺系数K的方法：

增加曝光剂的浓度：增加曝光剂的浓度可以提高K值，这是因为曝光剂浓度的增加可以增加光的折射率差，进而增加焦深曲线的陡峭程度。

2.增加PAG与电子受的比例：通过增加PAG与电子受的比例，可以焦深曲线的形状，从而提高K值。

选择更高分子量的光敏剂：更高分子量的光敏剂片段可以提高聚合度，从而增加附着力并且减少热扰动，进而提高K值。

改变曝光的分布方式：改变曝光的分布方式，例如采用梯度曝光（Gradient Exposure）等方式，可以焦深曲线的形状，提高K值。

优化光栅设计：通过优化光栅的设计，例如增加曝光缓冲区域，可以焦深曲线的形状，提高K值。

需要注意的是，在进行光刻工艺的优化时，需要根据实际情况选择的方法，并遵循正确的作流程和规程。

az1500光刻胶工艺参数？

厚。

AZ光刻胶特点：

适用于高分辨率工艺（lift-off工艺）

适用于正/负图形

很宽的膜厚范围

AZ光刻胶工艺条件：

前烘：100℃ 60秒 (DHP)

曝光：1线步进式曝光机/接触式曝光机

反转烘烤：110~125℃ 90秒（DHP）：去离子水30秒

曝光：310~405nm(在曝光光源下照射)

显影：AZ300MIF显影液 (2.38%) 23℃ 30~60秒 Puddle

AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping

AZ 400K(1:4)23℃ 60秒Dipping

清洗：去离子水30秒

后烘：120℃ 120秒（DHP）

剥离：AZ剥离液及/或氧等离子灰化

AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率；高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进；广泛应用于半导行业。

光刻胶产品型号及参数

光刻胶名称 型号 匀胶厚度

Merck AZ 正/负可转换型光刻胶 AZ 5214 0.5-6um

AZ 50XT 正胶 AZ 50XT 40-80um

AZ 9260 正胶 AZ 9260 6.2-15um

AZ 4620 光刻胶 AZ 4620 10-15um

MicroChem SU-8 负胶 SU-8 2015 13-38um

MicroChem SU-8 负胶 SU-8 2050 40-170um

MicroChem SU-8 负胶 SU-8 2075 60-240um

MicroChem SU-8 负胶 SU-8 2150 190-650um

MicroChem SU-8 负胶 SU-8 3010 8-15um

MicroChem SU-8 负胶 SU-8 3050 44-100um

AZ光刻胶其他参数及说明：

多次光刻与一次光刻的区别？

多次光刻和一次光刻的主要区别在于它们各自的应用场景和制造过程。

多次光刻是芯片制造过程中的关键步骤之一，其主要目的是将各层材料加工成所需的形状，使芯片的细节更加精细。具而言，芯片是由多层材料叠加而成，每层材料都需要通过光刻的方式进行微细加工。在光刻过程中，需要使用一种叫做光刻胶的物质，它能够对特定波长的光起反应。当用光透过模板在涂有光刻胶的晶圆上时，模板上的图案就会在晶圆上。然后，使用特定溶液把起反应的部分溶解掉，再对底下的硅进行刻蚀，这样，硅片上就有了凹凸不的起伏，这就是电路。在这个过程中，每层中的光刻胶都需要进行多次处理，这是多次光刻的基本原理。

一次光刻则是将整个芯片制造流程融合在一起，包括但不限于晶制备、图案转移、金属化等步骤。一次光刻技术主要应用于薄膜集成电路中，它能够同时处理多个芯片，提高了生产效率。

总结来说，多次光刻和一次光刻的主要区别在于应用场景和制造过程。多次光刻主要用于制造复杂的数字集成电路和晶管，而一次光刻则主要用于制造薄膜集成电路。